太田 俊明 | 東大大理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
太田 俊明
東大大理
-
太田 俊昭
東大理
-
Yeom H.
延世大
-
Yeom H.
Yonsei大
-
Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
登野 健介
理研XFEL
-
松田 巌
東大大理
-
Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
松井 文彦
東大理
-
松井 文彦
東大大理
-
Yeom Han
東大理
-
登野 健介
東大大理
-
木口 学
東工大院理工
-
Yeom Han
東大大工
-
木口 学
東大大理
-
岡本 裕一
東大大理
-
横山 利彦
東大大理
-
登野 健介
東大院理
-
北島 義典
高エ研
-
登野 健介
東大理
-
Yeom H.W.
東大理
-
近藤 寛
東大大理
-
H.w Yeom
東大理
-
今西 哲士
東大大理
-
廉 罕雄
東大埋
-
伊澤 一也
東大大理
-
都築 健久
東大埋
-
登野 健介
東大埋
-
Yeom W.H
東大理
-
寺田 秀
東大大理
-
坂野 充
東大大理
-
北島 義典
高エ研放射光
-
濱松 浩
東大理
-
雨宮 健太
東大大理
-
香山 智之
東大理
-
濱松 浩
東大大理
-
香山 智之
東大大理
-
都築 健久
東大理
著作論文
- 29a-PS-29 Si(001)及び(111)表面上ベンゼンの吸着構造と電子構造
- 24aPS-35 Si(111)7×7表面上の炭化水素分子の吸着 : 光電子分光法による研究
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 31p-F-4 Si(001)2×1表面上のC_2H_2, C_2H_4の吸着 : -NEXAFSと光電子分光を用いた研究
- 29a-PS-16 Si(001)2×l表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究I : Si(001)2×3-Ag表面
- 29a-PS-40 Ni(111)表面に作成したPd超薄膜上でのSO_2分子の吸着構造
- 26p-YM-8 NEXAFSによるSi(111)の初期酸化過程でのO_2precursorの研究
- Cl, S/Ni(111), (100)系のLEED回折強度温度変化の解析