秋永 広幸 | JRCAT
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概要
関連著者
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秋永 広幸
JRCAT
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宮西 晋太郎
JRCAT
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宮西 晋太郎
Jrcat融合研:筑波大物質工
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水口 将輝
東北大学
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小野 寛太
総研大・高エ研
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鈴木 義茂
JRCAT
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鈴木 義茂
Jrcat-融合研
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眞砂 卓史
JRCAT
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眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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片山 利一
電総研
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水口 将輝
JRCAT
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田中 一宜
筑波大物質工
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尾嶋 正治
東大院工
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小野 寛太
東大院工
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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南 不二雄
東工大院理工
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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安藤 功兒
電総研
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田中 一宜
JRCAT融合研
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秋永 広幸
産総研ナノテク
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竹下 弘人
JRCAT
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南 不二雄
北大応電研
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竹下 弘人
日大理工
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小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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南 不二夫
東工大理
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白井 正文
東北大通研
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
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田村 英一
JRCAT融合研
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秋永 広幸
Jrcat融合研
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秋永 広幸
融合研
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水谷 亘
JRCAT-NAIR
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吉野 淳二
東工大
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吉野 淳二
東工大・工
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水谷 亘
Jrcat : 融合研 電総研
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VAN ROY
JRCAT-APT
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Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
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田村 英一
Jrcat
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藤森 淳
東大理
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柿崎 明人
東大物性研
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木村 昭夫
東大物性研
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鎌倉 望
東大物性研
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島田 賢也
東大理
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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渡辺 純二
阪大理
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湯浅 新治
電総研
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田中 雅明
東大工
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吉野 淳二
東工大院理工
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黒田 隆
東工大院理工
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小森 達也
東工大院理工
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Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
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安藤 功児
電総研
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田村 英一
産経研
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南 不二雄
東工大院理
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黒田 隆
東工大院理
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腰原 伸也
東工大院理工
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伊東 宏之
京大化研
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尾嶋 正治
東大工
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島田 賢也
広大放射光セ
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Rader O.
東大理
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小野 寛太
東大物性研
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仙洞田 剛士
筑波大物理
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鎌倉 望
Jaea:spring-8
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秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体・産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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水口 将輝
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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秋永 広幸
産総研
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小野 寛太
東大工
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白井 正文
大阪大学基礎工学研究科
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間野 高明
東大院工
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白井 正文
阪大基礎工
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水口 将輝
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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田中 一宣
JRCAT融合研
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腰原 伸也
東工大理
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中原 純一郎
北大理
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渡辺 純二
北大理
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間野 高明
物質・材料研究機構
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白井 正文
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性分野
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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明浦 公彦
東大工
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Willem Van
JRCAT
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Roy W.van
Jrcat:atp
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Gregus Jan
北大理
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秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所 & 東大物性研
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伊東 宏之
東工大理
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CHAPPERT C.
パリ南大
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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田中 一宣
Jrcat-融合研
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田中 一宣
Jrcat融合研:筑波大物質工
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白井 正文
大阪大基礎工
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滝田 宏樹
筑波大物質工
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石川 忠彦
東工大院理工
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An K.S.
東大物性研
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尾嶋 正治
東京大学工学部
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腰原 伸也
神奈川科学技術アカデミー:東工大理工
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岡林 潤
東大理
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山田 素久
東大院工
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水口 将輝
東大院工
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岡林 潤
東大院理
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間野 高明
東大工
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水口 将輝
東大工
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Yeom H.
延世大
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Yeom H.
Yonsei大
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Chung Y.
Yonsei大
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藤岡 洋
東京大学大学院工学系研究科
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水口 将揮
東大工
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浦上 武
東大工
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渡辺 義夫
NTT基礎研
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藤岡 洋
東大工
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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佐藤 俊彦
Erato
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黒田 隆
東工大理
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Yeom Han
東大理
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山本 夕可
北大理
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片山 利一
新機能素子研究開発協会
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篁 耕司
北大理
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関口 洋義
東工大院理工
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黒田 隆
物材機構
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大野 圭司
東大理
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樽茶 清悟
東大理
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本田 元就
東大理
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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篁 耕司
東北大通研
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田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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郭 立信
JRCAT-ATP
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細谷 剛
東工大院理工
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Yeom H.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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ROY W.Van
JRCAT
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宮西 晋太郎
融合研
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Roy W.van
融合研
-
田中 一宜
融合研
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Ehinger M.K
電総研
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Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Willem Van
Jrcat:atp
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三森 康義
東工大院理工
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Oliver Rader
Bessy
-
O. Rader
東大理
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Rader Oliver
Bessy
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水野 正朝
東工大理
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K.s. An
東大物性研
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西村 崇
東工大理
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藤岡 洋
東京大学大学院
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Roy Willem
Jrcat:atp
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小森 達也
東工大院 理
-
黒田 隆
東工大院 理
-
石川 忠彦
東工大院 理
-
吉野 淳二
東工大院 理
-
南 不二雄
東工大院 理
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DE BOECK
IMEC
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宮西 普太郎
JRCAT
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BORGHS G.
IMEC
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松江 清高
東工大理
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中原 純一郎
北大理物理
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安藤 児功
電総研
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手塚 達也
北大理物理
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Gregus J.
北大理物理
-
渡辺 純二
北大理物理
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Willem Van
Jrcat:融合研
-
宮西 普太郎
Jrcat:融合研
-
郭 立信
JRCAT:ATP
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片山 一
筑波大物質工
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田中 一宜
電総研JRCAT
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秋永 広幸
JRCAT:融合研
-
秋永 広幸
JRCAT-融合研
-
滝田 宏樹
筑波大物質
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宮西 晋太郎
JRCAT:融合研:筑波大物質工
-
宮西 晋太郎
JRCAT:融合研
-
竹下 弘人
JRCAT-融合研:日大理工
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眞砂 卓史
ナノ機能合成プロ
著作論文
- 30p-L-4 MnSb(0001)のスピン・角度分解光電子分光
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- 半導体表面への磁性ナノ構造の成長と物性
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価
- 26pPSA-54 (111)B GaAs基板上MnSb薄膜の作製とその磁気特性
- 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
- 5p-F-11 MnTe:Sb系薄膜の作製と磁気光学効果
- 27p-W-2 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン偏極光電子分光
- 18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- 26p-YJ-16 Mn_2Sb_As_x磁性薄膜における磁気抵抗の温度依存性
- 8p-YG-8 分子線エピタキシー法によるMn_2(Sb, As)薄膜の作製とその特性評価
- 30p-W-14 分子線エピタキシー法によるMn_2Sb薄膜の作製とその特性評価
- GaAs基板上Mn-Sb薄膜の作製とその成長様式の基板表面構造依存性
- MnSb薄膜の作製及びその磁気光学効果の基板依存性
- 29a-PS-57 MnSb薄膜の作製とその磁気光学効果
- 28a-YQ-11 Surface Structure of the first few Monolayers of Fe deposited at Room Temperature on GaAs (100) Substrates
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- MnTeSbにおけるMn発光の温度依存性
- Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
- Au(111)面上に成長したCo微細構造と磁気光学効果
- 29a-PS-50 Au(111)面上のCoの初期成長過程と磁気光学効果
- 2p-X-4 エピタキシャルMn_2(Sb,As)薄膜の磁気抵抗効果
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 27aPS-17 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導 II
- 23pYB-6 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導
- 23aE-2 GaAs表面・界面におけるスピン緩和
- 27a-YJ-8 MnAs:GaAsグラニュラー薄膜における負の磁気抵抗効果
- 8a-E-10 (Ga, Mn)Asの発光特性
- 8a-E-6 CdMnTeにおけるフェムト秒光パルス励起フェラデー回転の観測
- CaAs基板上MnSb超薄膜の磁気光学効果
- MnSb超薄膜のGaAs基板上MBE成長
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- 28a-K-8 CdMnTe, MnTeのd励起状態の不均一幅
- 14a-DE-15 MnTeのd-d発光 I
- 3P-YD-9 MnSb/GaAs界面のTEM観察と磁気光学効果(3pYD 磁性(薄膜,人工格子),磁性)
- 1p-YE-5 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン角度分解光電子分光(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)
- 1p-YE-4 MnSbエピタキシャル膜における異方的磁気抵抗(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)
- 3P-YD-3 Au(111)再配列面に形成させたCoドットの磁化過程(3pYD 磁性(薄膜,人工格子),磁性)
- 25pXJ-5 強磁性体/半導体MIS構造におけるスピン注入(25pXJ 強磁性トンネル接合・磁壁,領域3(磁性,磁気共鳴分野))