秋永 広幸 | アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所 & 東大物性研
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概要
関連著者
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秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体・産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所 & 東大物性研
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水口 将輝
東北大学
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
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小野 寛太
総研大・高エ研
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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水口 将輝
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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尾嶋 正治
東大院工
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秋永 広幸
JRCAT
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水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
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水口 将輝
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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秋永 広幸
産総研
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水口 将輝
JRCAT
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小野 寛太
東大院工
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秋永 広幸
産総研ナノテク
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白井 正文
東北大通研
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水口 将輝
東北大金研
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眞砂 卓史
JRCAT
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眞砂 卓史
アトムテクノロジー研究体産業技術総合研究所つくば中央第4事業所
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白井 正文
大阪大学大学院基礎工学系研究科
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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秋永 広幸
産業技術総合研
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Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
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Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
著作論文
- 金属/半導体ハイブリッド超薄膜で出現した超巨大磁気抵抗効果-磁気抵抗スイッチ効果-
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- GaAs/MnSbグラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と磁気光学特性
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- 金属/半導体グラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果