金属/半導体グラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-10-23
著者
関連論文
- 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- 金属/半導体ハイブリッド超薄膜で出現した超巨大磁気抵抗効果-磁気抵抗スイッチ効果-
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- GaAs/MnSbグラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と磁気光学特性
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- 硬X線励起光電子顕微鏡
- 密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価
- 閃亜鉛鉱型スピンエレクトロニクス材料の薄膜成長と評価
- 誘導結合型プラズマによる有機レジストおよびTiマスクを用いたNiFeの反応性イオンエッチング
- 第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計 : 始めの一歩
- 遷移金属合金の反応性イオンエッチング
- 金属/半導体グラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
- 放射光光電子顕微鏡によるナノスケール磁性体の磁区構造観察
- カーボンナノチューブを用いた磁気力顕微鏡
- 磁性材料のナノスケール計測技術 : カーボンナノチューブMFMとスピンエレクトロニクスへの展開