第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計 : 始めの一歩
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概要
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We propose an intricate method of Reactive Ion Etching (RIE) process design for transition-metal (TM) materials using ab-initio calculations. The TM materials are inert in dry etching processes since volatile etching by-products cannot be formed easily. However, to achieve new high-performance memories based on the TM materials, a selective dry etching technique such as RIE is eagerly required instead of the conventional ion milling method. In this work, we would like to introduce our scenario of the RIE design for TM materials using the results of CoFe as an example.
- 日本真空協会の論文
- 2007-06-20
著者
-
秋永 広幸
産総研
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
-
DAVID Melanie
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
ROMAN Tanglaw
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
高野 史好
産業技術総合研究所
-
松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
Dino Wilson
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理
-
Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
-
秋永 広幸
産業技術総合研
-
Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
-
Muhida R.
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
MUHIDA Rifki
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
国方 伸一
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
国方 伸一
阪大院工
-
David Melanie
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
Roman Tanglaw
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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