22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 秋永 広幸

  産総研ナノ機能合成プロ

• 大渕 博宣

  JASRI

• 秋永 広幸

  産総研

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所

• 秋永 広幸

  産総研ナノテク

• 高野 史好

  産業技術総合研究所

• 王 文洪

  産総研ナノテク

• 菱木 繁臣

  原子力機構

• 大島 武

  原子力機構

• 高野 史好

  産総研ナノテク

• 大渕 博宣

  高輝度光科学研究センター

• 菱木 繁臣

  日本原子力研究開発機構

関連論文

• 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aYG-9 鉄フタロシアニンベースカーボンアロイ触媒における残存金属の電子構造(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aC01 室温強磁性閃亜鉛鉱型CrAs単結晶薄膜のMBE成長(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
• 27aYA-6 MnAsエピタキシャル薄膜のスピン波ブリルアン散乱(磁性半導体)(領域4)
• 金属/半導体ハイブリッド超薄膜で出現した超巨大磁気抵抗効果-磁気抵抗スイッチ効果-
• 28aXQ-7 MnAsナノ構造の内殻磁気円二色性(放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光)(領域5)
• Au/GaAs超構造における磁気抵抗スイッチ効果
• スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
• 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
• 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
• 17aYH-10 閃亜鉛鉱型MnAsドットの作製と光電子分光
• 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
• 硬X線励起光電子顕微鏡
• 22pYG-16 紫外線レーザー光電子顕微鏡を用いた顕微分光(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域5(光物性))
• 22pYG-16 紫外線レーザー光電子顕微鏡を用いた顕微分光(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 22aTG-11 強磁性SiC:Mnの光電子分光およびX線吸収分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 14aXC-3 光電子顕微鏡を用いた X 線磁気イメージング(MCD・X 線発光・散乱, 領域 5)
• 20aYH-12 ステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の一軸磁気異方性((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pXP-9 光電子顕微鏡によるステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の磁区構造観察(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 27pWE-6 La_Sr_Mn_2O_7の放射光光電子顕微鏡(PEEM)観察(Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pXL-8 MnPt, MnPdの光学反射スペクトルと擬ギャップ(遷移金属・希土類)(領域3)
• 29aWB-4 遍歴反強磁性体 MnPt の擬ギャップと電子状態
• 密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価
• 25pPSB-36 遷移金属酸化物の反応性プラズマイオンエッチング : 第一原理計算に基づくプロセスデザイン(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 磁性・スピントロニクス
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
• 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スピンエレクトロニクス・ナノマグネティクス
• 合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」
• スピントロニクスの基礎と応用
• C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
• SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 21pXF-14 Etching Surfaces of Ferromagnetic Materials : Ab-Initio Based Process Design and Realization
• 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
• 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
• 23pRG-5 Pt-Co合金触媒を用いた膜・電解質接合体における劣化に伴うCo分布の変化(23pRG 光電子分光・放射光真空紫外分光・MCD・X線発光,領域5(光物性))
• 23pPSB-54 イオン注入法により作製された強磁性3C-SiC:Mnの局所構造(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pPSA-66 熱拡散法によるSiCへの磁性元素Mnの導入(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SiCベース室温強磁性半導体の探索
• メゾスコピック磁性体における vortex カイラリティ制御
• 13pWB-13 メゾスコピック磁性体における vortex カイラリティ制御(微小領域磁性, 領域 3)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 民生用大容量メモリのシングルイベントアップセット耐性評価
• 放射光光電子顕微鏡による flux closure 構造の観察
• 第7回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(7thRASEDA)の紹介
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• 25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
• 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
• 25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究
• 19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pEG-1 陽子線照射による水素化アモルファスシリコン太陽電池の特性劣化と電気伝導度変化の関係(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
• 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク