高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)

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概要

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• 京都大学原子炉実験所の論文
• 2000-11-01

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 大島 武

  原研

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

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