GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性

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概要

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• Euを添加したGaNの発光特性に及ぼす高エネルギー電子線照射の影響について検討を行った。Euはイオン注入法によりサファイア基板上に成長させたGaNエピ層に注入した。Euのドーズ量は、10^<14>cm^<-2>から10^<15>cm^<-2>の範囲で変化させ、このときのEuのピーク濃度は、数at%である。電子線照射は、室温にて3MeV,ドーズ量を10^<16>-2×10^<17>cm^<-2>の範囲で行った。ホトルミネセンス測定により、Euを注入した試料からは、Eu^<3+>の5D_0-^7F_2遷移による強い発光が得られ、この発光は、電子線照射量が、10^<17>cm^<-2>程度までほとんど劣化しなかった。これに対し、GaN層のバンド端発光は、電子線熊射量の増加に伴い急激に減少した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-25

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 大島 武

  原研

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

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