HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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III-N化合物半導体を用いた短波長発光ダイオード(LED)および半導体レーザ(LD)の開発が進められている。一般に基板としてサファイアが用いられているが、高信頼性の素子、特にLDを開発するために欠陥の少ないGaN基板に対する要求が強い。本研究ではGaNにほぼ格子整合するNdGaO_3(NGO)基板上にHVPE法により2インチのGaN厚膜エピ結晶を成長した。育成した結晶はX線ロッキングカーブ法(XRC)、フォトルミネッセンス法(PL)、カソードルミネッセンス法(CL)で評価した。低温保護層、および、GaNエピ成長条件を最適化することでGaN厚膜結晶の結晶性を向上させた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
佐々木 伸一
佐賀大学理工学部
-
佐藤 賢次
日鉱マテリアルズ(株)
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
今井 恒
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
中村 正志
日鉱マテリアルズ 戸田工場
-
佐々木 伸一
日鉱マテリアルズ 戸田工場
-
清水 英一
日鉱マテリアルズ 戸田工場
-
朝日 聰明
日鉱マテリアルズ 戸田工場
-
田中 亮太
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
今井 恒
豊橋技術科学大学
-
佐藤 賢次
(株)日鉱マテリアルズ戸田工場
-
朝日 聰明
(株)日鉱マテリアルズ戸田工場
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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