若原 昭浩 | 豊橋技術科学大学

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概要

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• 豊橋技術科学大学の論文著者

関連著者

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 伊藤 久義

  原研

• 大島 武

  原研

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 梅野 和行

  豊橋技術科学大学

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• Ishida M

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 幹記

  豊橋技術科学大学

• 畠中 奨

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 松田 豊稔

  熊本高専

• 中村 隆

  釧路工業高等専門学校

• 大津 道歳

  熊本大学

• 藤盛 敬雄

  豊橋技術科学大学

• 奥野 洋一

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 周山 大慶

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 田中 徹

  豊橋技術科学大学 工学部

• 松田 豊稔

  熊本電波工業高等専門学校

• 中村 隆

  釧路工高専

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 廣江 吉倫

  豊橋技術科学大学

• 光吉 三郎

  豊橋技術科学大学

• 奥野 洋一

  熊本大学

• 周山 大慶

  熊本大学

• 園田 潤

  仙台電波工業高等専門学校電子工学科

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 海野 啓明

  仙台高等専門学校情報システム工学科

• 田中 誠造

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 野口 健太

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 出口 裕輝

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 河野 達矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学

• 海野 啓明

  仙台高等専門学校

• 佐藤 淳

  豊橋技術科学大学 工学部

• 島田 英里

  豊橋技術科学大学 工学部

• 箕原 大介

  豊橋技術科学大学 工学部

• 文 秀榮

  豊橋技術科学大学

• 金 聖晩

  豊橋技術科学大学

• 太田 成人

  豊橋技術科学大学

• 森崎 祐二

  豊橋技術科学大学

• 石地 正義

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 佐藤 源之

  東北大学東北アジア研究センター

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 大西 正人

  豊橋技術科学大学

• 大嶋 武

  原研高崎

• 井上 勉

  豊橋技術科学大学

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 細川 修

  豊橋技術科学大学

• 早川 崇則

  豊橋技術科学大学

• 吉越 章隆

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 重久 慶

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 三崎 貴生

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 津間 博基

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 小林 貴行

  豊橋技術科学大学

• 藤村 洋平

  豊橋技術科学大学

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 佐藤 源之

  東北大学 東北アジア研究センター

• 小幡 常啓

  群馬工業高等専門学校

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学

• 内田 実

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 松野 文弥

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 橋元 芳昇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 藤村 洋平

  双葉電子工業

• 山口 利幸

  和歌山高専

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• Wu Xiaoping

  豊橋技術科学大学

• 北村 泰弘

  豊橋技術科学大学工学部

• 山口 利幸

  和歌山工業高等専門学校電気工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 嶋田 香志

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 源之

  東北大学

• 野間 亮佑

  豊橋技術科学大学

• 泉 佳太

  豊橋技術科学大学工学部

• 河合 洋明

  豊橋技術科学大学工学部

• 下條 貴史

  豊橋技術科学大学工学部

• 斎木 久雄

  (株)三陽電機製作所

• 玄番 潤

  豊橋技術科学大学

• 内海 一肇

  豊橋技術科学大学

• Ishida M

  Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 松本 鋭介

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 機械工学系

• ベイ インホ

  韓国嶺南大学校

• 土屋 健司

  豊橋技術科学大学

• 海江田 理

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 内田 美

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 川村 延伸

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 大石 浩司

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• ナッタウット ブッタラート

  豊橋技術科学大学

• 園田 潤

  仙台高等専門学校

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 丹治 紀彦

  仙台高等専門学校

• 山口 利幸

  和歌山工業高等専門学校

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 河合 剛

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 佐々木 伸一

  佐賀大学理工学部

• 佐藤 賢次

  日鉱マテリアルズ(株)

• 鈴木 篤

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 李 禹鎮

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 中村 正志

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 佐々木 伸一

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 清水 英一

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 朝日 聰明

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 田中 亮太

  豊橋技術科学大学

• 石川 風生

  仙台電波工業高等専門学校

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 佐藤 賢次

  (株)日鉱マテリアルズ戸田工場

• 朝日 聰明

  (株)日鉱マテリアルズ戸田工場

• ブッタラート ナッタウット

  豊橋技術科学大学

• アラン ビール

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 市川 周一

  豊橋技術科学大学・知識情報工学系

• 北崎 充晃

  豊橋技術科学大学

• 桂田 浩一

  豊橋技科大

• 桂田 浩一

  豊橋技術科学大学 大学院工学研究科 知識情報工学専攻

• 園田 潤

  仙台高等専門学校知能エレクトロニクス工学科

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 青木 伸一

  豊橋技術科学大学

• 海野 啓明

  仙台電波工業高等専門学校電子制御工学科

• 横山 安弘

  釧路工業高等専門学 校

• 藤本 晶

  和歌山工業高等専門学校

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 高尾 英邦

  豊橋技術科学大学

• 藤盛 敏雄

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 橋詰 保

  北海道職業訓練短期大学電気工学科

• 海野 啓明

  仙台電波高専

• 中内 茂樹

  豊橋技術科学大学

• 横山 安弘

  釧路工業高等専門学校電子工学科

• 林 直樹

  東北大学大学院環境科学研究科

• 小幡 常啓

  群馬高専

• 関 洋二

  ジャパンエナジー

• 西野 元一

  長岡技術科学大学

• 桂田 浩一

  豊橋技術科学大学

• 新田 恒雄

  豊橋技術科学大学

• 橋詰 保

  釧路工業高等専門学校

• 神野 清勝

  豊橋技術科学大学

• 甲斐荘 敬司

  ジャパンエナジー精製技術センター

• Sawada K

  Shizuoka Univ. Hamamatsu

• 渡辺 俊裕

  日本通信工業

• 古田 明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 有田 誠

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 園田 潤

  仙台電波高専電子工学科

• 若原 昭浩

  豊技大

• 吉田 明

  豊技大

• 小田 修

  ジャパンエナジー

• 甲斐荘 敬司

  日鉱マテリアルズ

• 石川 風生

  仙台電波高専

• 林 直樹

  東北大学東北アジア研究センター

• 北崎 充晃

  豊橋技術科学大学情報・知能工学系

• シン アルン

  豊橋技術科学大学

• ビール シン

  豊橋技術科学大学

• 中内 茂樹

  豊橋技科大 情報工学系

• 青野 雅樹

  豊橋技術科学大学情報・知能工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所

• 藤本 晶

  和歌山工業高等専門学校電気情報工学科

• 市川 周一

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 青野 雅樹

  豊橋技術科学大学 情報・知能工学系

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著作論文

• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子部品・材料)
• Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子デバイス)
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜周期構造による光の共鳴散乱
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 同期検波による自動C-V Plotter
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• FDTD法を用いた周期的フラクタル状多層媒質の電磁波伝搬解析
• A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
• NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 9-209 高専-枝科大連携による技能を持った技術者の育成 : 高専専攻科と技科大の融合による一貫教育の実現へ((22)高大院連携,口頭発表論文)
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• フラクタル状多層薄膜の作製と電磁波の伝搬特性
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• CS-5-3 Si基板上への無転位III-V-N混晶層のヘテロエピタキシャル成長(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• 03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• ZnO薄膜の伝導型制御
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• ZnO薄膜の伝導型制御
• ZnO薄膜の伝導型制御
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• B-1-35 フラクタル構造における電磁波透過・共振現象のマイクロ波実験による検討(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
• CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• CS-9-1 スマートクラスルーム : インテリジェントヒューマンセンシングによる(CS-9. センサネット: エレクトロニクスと情報技術の融合, エレクトロニクス2)
• カントール構造中の電磁波伝搬における分割幅による透過・共振の制御(EMC,一般)
• フラクタル構造における電磁波透過特性の実験的検証
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• 豊橋技術科学大学における高専と連携した実践的技術者の養成 : これまでの取り組みと将来展望
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 3-230 豊橋技術科学大学の高専連携プロジェクトを活用した半導体デバイス作製実験教材の開発((05)教材の開発-I,口頭発表)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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• ジエチルアルシンを用いたGaAsのMOVPE 成長
• 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• らせん型教育の実践現場から見た高専の高度化のための提言
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
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