光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circuit : OEIC)を実現させるには、Siと格子整合する発光素子が必要となる。窒素を2%添加したGaPNはSiと格子整合する。発光材料中に欠陥が存在すると、発光特性を低下させてしまう。本研究では、GaPNにSiおよびSを添加した材料を光伝導度過渡応答特性を用いて測定を行い、深い準位についての評価を行った。移動度の温度特性の結果、n-GaPはフォノン散乱が支配的であったが、n-GaP_<0.991>N_<0.009>:Siはイオン化不純物散乱が支配的であた。光伝導度過渡応答特性より、N組成が1%前後の時には、ドーパントを変えたことによる欠陥準位に大きな違いは見られなかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-05-08

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 泉 佳太

  豊橋技術科学大学工学部

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