Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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• 希土類添加半導体は発光線幅が狭く,温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため,次世代発光デバイスとして注目されている.本研究では,Mg共添加GaN:Eu発光ダイオードを作製し,電気特性及び発光特性を調べた.立ち上がり電圧3.3Vを有する整流特性が観察され,Euイオンの^5D_0-^7F_2遷移に対応した620nm付近のピークが観測された.Mg共添加は発光強度の増大をもたらすとともに,活性層の高抵抗化を引き起こした.更なるLED特性の改善のために,Eu濃度依存性の視点から活性層の最適化を試みた.GaN:Euにおいて,Eu濃度8×10^<19>cm^<-3>以下の領域ではEu起因の発光がほとんど観測されなかったが,GaN:Eu,MgではEu濃度が低い領域においてもサイトAからの強い発光が観測された.これは不活性なサイトに取り込まれていたEuイオンが光学的に活性なサイトAに取り込まれたためであると考えられた.またMg添加のサンプルではPL強度がEu濃度に依らず一定であったため,Eu濃度の低いMg共添加層を活性層とすればLED特性の更なる改善が期待できると考えられる.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-11-22

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

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