岡田 浩 | 豊橋技術科学大学 工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 豊橋技術科学大学 工学部の論文著者

関連著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 梅野 和行

  豊橋技術科学大学

• 光吉 三郎

  豊橋技術科学大学

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学工学部

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大嶋 武

  原研高崎

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 田中 誠造

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 野口 健太

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 出口 裕輝

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 松野 文弥

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 橋元 芳昇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 野間 亮佑

  豊橋技術科学大学

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 河合 剛

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 丸山 大地

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 小路 耕平

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 伊藤 宏成

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学 工学部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学EIIRIS:豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学工学研究科

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著作論文

• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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