大島 武 | 日本原子力研究開発機構

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概要

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• 日本原子力研究開発機構の論文著者

関連著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 大島 武

  原研

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 久義

  原研

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 大嶋 武

  原研高崎

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 大島 武

  原研高崎

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 齋 均

  産業技術総合研究所

• 今泉 充

  宇宙航空研究開発機構

• 島崎 一紀

  宇宙航空研究開発機構

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 今泉 充

  字宙航空研究開発機構

• 平尾 敏雄

  日本原子力研究所 高崎研究所

• 近藤 道雄

  産業技術総合研究所

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 小野田 忍

  原子力研究開発機構

• 廣瀬 和之

  総合研究大学院大学

• 平尾 敏雄

  日本原子力研究開発機構

• 野尻 琢慎

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 柳澤 英樹

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 加藤 正史

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 岩見 基弘

  岡大物理

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 高橋 芳浩

  日本大学理工学部

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 高橋 芳宏

  日本大学電子工学科

• 平尾 敏雄

  日本原子力研究開発機構:日本大学

• 松下 由憲

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 高橋 芳浩

  日本原子力研究開発機構:日本大学

• 田中 礼三郎

  岡大物理

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 田中 徹

  豊橋技術科学大学 工学部

• 西野 公三

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 大島 武

  独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 市村 正也

  名工大

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 安田 智成

  名古屋工業大学

• 平尾 敏雄

  日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 三宅 景子

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 伊藤 久義

  原研高崎研

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 黒田 能克

  三菱重工業

• 大井 暁彦

  産総研

• 池田 博一

  総合研究大学院大学

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 黒田 能克

  三菱重工業株式会社

• 牧野 高紘

  総合研究大学院大学

• 柳川 善光

  東京大学大学院

• 小林 大輔

  総合研究大学院大学

• 齋藤 宏文

  東京大学大学院

• 高橋 大輔

  三菱重工業株式会社

• 石井 茂

  三菱重工業株式会社

• 草野 将樹

  三菱重工業株式会社

• 池淵 博

  三菱重工業株式会社

• 梨山 勇

  日本原子力研究所高崎研究所

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 中野 逸夫

  岡大物理

• 木下 明将

  産総研

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 福田 盛介

  宇宙航空研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力開発機構

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 柴田 優一

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 小林 大輔

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 柴田 優一

  東京大学大学院工学系研究科

• 秋永 広幸

  産総研ナノ機能合成プロ

• 大渕 博宣

  JASRI

• 中野 逸夫

  岡山大自然科学

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部界面科学研究室

• 岩見 基弘

  岡山大自然

• 木下 明将

  岡山大学理学部

• 木下 明将

  岡山大学 理

• 岩見 基弘

  岡山大学 理

• 齋藤 宏文

  宇宙航空研究開発機構

• 秋永 広幸

  産総研

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所

• 福田 盛介

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部(JAXA

• 海野 義信

  高エ研

• 寺田 進

  高エ研

• 新藤 浩之

  宇宙航空研究開発機構

• 秋永 広幸

  産総研ナノテク

• 池上 陽一

  高エ研

• 中野 逸夫

  岡山大学

• 神谷 富裕

  日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 池田 博一

  株式会社クボタ開発センター

• 田中 保宣

  産業技術総合研究所

• 岡本 光央

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  電子技術総合研究所

• 久保山 智司

  宇宙開発事業団

• 松田 純夫

  宇宙開発事業団

• 根本 規生

  宇宙開発事業団

• 斎藤 宏文

  宇宙研

• 大西 一功

  日本大学理工学部電子情報工学科

• 高野 史好

  産業技術総合研究所

• 久保山 智司

  宇宙航空研究開発機構

• 福田 盛介

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 池田 博一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 梨山 勇

  高信頼性部品(株)

• 新藤 浩之

  宇宙開発事業団

• 大西 一功

  日本大学電子工学科

• 斎藤 宏文

  宇宙航空研究開発機構

• 王 文洪

  産総研ナノテク

• 府金 賢

  日本原子力研究開発機構

• 原田 信介

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 横山 拓郎

  岡大物理

• 福島

  高工研

• 海野 義信

  高工研

• 寺田 進

  高工研

• 池上 陽一

  高工研

• 乗松 健治

  岡山大自然

• 田中 礼三郎

  岡山大自然

• 大井 暁彦

  岡山大自然

• 中野 逸夫

  岡山大学大学院 自然科学研究科

• 田中 礼三郎

  岡山大学大学院 自然科学研究科

• 明神 善子

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 小林 健一

  岡山大学

• 大井 暁彦

  日本原子力研究所

• 福島 靖孝

  高エ研

• 松田 純夫

  宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部

• 池田 博一

  総合研究大学院大学:宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部

• 小林 大輔

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 菱木 繁臣

  原子力機構

• 大島 武

  原子力機構

• 齋藤 宏文

  宇宙研

• 高野 史好

  産総研ナノテク

• 大渕 博宣

  高輝度光科学研究センター

• 菱木 繁臣

  日本原子力研究開発機構

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所

• 福田 盛介

  Institute Of Space And Astronautical Science Jaxa

• 鹿瀬 和之

  総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部

• 石井 茂

  三菱重工株式会社

• 松田 純夫

  宇宙開発事業団技術研究部

• 島崎 一紀

  字宙航空研究開発機構

• 神谷 富裕

  日本原子力研究所

• 府金 賢

  日本原子力研究開発機構:日本大学

• 平尾 敏雄

  原研

• 高橋 大輔

  三菱重工業株式会社名古屋誘導推進システム製作所

• 新井 学

  新日本無線(株)

• 大槻 真嗣

  宇宙航空研究開発機構

• 福田 盛介

  宇宙航空研究開発機構/宇宙科学研究本部

• 近彦 道雄

  産業技術総合研究所

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 中野 逸夫

  岡山大自然

• 小倉 俊太

  日本大学理工学部

• 小野日 忍

  日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 廣瀬 和之

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 星野 英二郎

  東京大学大学院工学系研究科

• 梯 友哉

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 廣瀬 和之車

  東京大学大学院工学系研究科,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 荒井 亮

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅田 享英

  筑波大学数理物質科学研究科

• 佐藤 嘉洋

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター

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著作論文

• 25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
• 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
• SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
• 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
• 22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 民生用大容量メモリのシングルイベントアップセット耐性評価
• 第7回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(7thRASEDA)の紹介
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• 25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
• 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
• 25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究
• 19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pEG-1 陽子線照射による水素化アモルファスシリコン太陽電池の特性劣化と電気伝導度変化の関係(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
• 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

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