市村 正也 | 名古屋工業大学、機能工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋工業大学、機能工学専攻の論文著者

関連著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名工大

• 内田 秀雄

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 加藤 正史

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 兼近 将一

  株式会社 豊田中央研究所

• 兼近 将一

  豊田中央研究所

• 加地 徹

  豊田中研

• 兼近 将一

  豊田中研

• 加地 徹

  豊田中央研究所

• 加地 徹

  株式会社豊田中央研究所

• 宇佐美 晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 石黒 修

  豊田中研

• 石黒 修

  豊田中央研究所

• 宇佐美 晶

  名古屋工大

• 山田 登

  豊田中央研究所

• 浅井 寛

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 浅井 寛

  名古屋工業大学電気情報工学料

• 宮脇 哲哉

  名古屋工業大学

• 竹内 一喜

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 小林 良平

  (株)シクスオン

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 佐藤 直也

  名古屋工業大学

• 小林 良平

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 中島 佑基

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 古賀 祥泰

  名古屋工業大学

• 小林 良平

  名古屋工業大学

• 吉田 敦史

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 家木 靖

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 徳田 豊

  愛知工業大学 電子工学科

• 徳田 豊

  愛知工学部工学部電子工学科

• 徳田 豊

  愛知工業大学

• 岸野 裕介

  名古屋工業大学

• 三鴨 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 福島 圭亮

  名古屋工業大学大学院

• 福島 圭亮

  名古屋工業大学

• 高木 晋吾

  名古屋工業大学

• 中島 裕明

  名古屋工業大学

• 森口 幸久

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 森口 幸久

  名古屋工業大学

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 邵 春林

  名古屋工業大学工学部電気情報工学科

• 東 雅紀

  名古屋工業大学

• 住江 伸吾

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 邵 春林

  名古屋工業大学

• 住江 伸吾

  神戸製鋼所 プロセス技研

• 牧野 貴紀

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宋 瑛

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 王 俊

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 柴田 和幸

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 川内 康弘

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科電子工学

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科

• 松下 由憲

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 山崎 芳文

  富士ゼロックス株式会社

• 田中 正一

  名古屋工業大学

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科

• 藤島 修

  豊田中央研究所

• 小川 和也

  名古屋工業大学

• 渡辺 英樹

  名古屋工業大学

• 森 健洋

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 橋爪 英久

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 飯田 大介

  名古屋工業大学電気情報工学料

• 山本 忠興

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 中島 圭吾

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 鬼頭 孝輔

  名古屋工業大学

• 小野 英則

  名古屋工業大学

• 冨田 陵一

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 鶴丸 厚

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 池野 孝宏

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 小野 雄平

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 祖父江 文孝

  名古屋工業大学

• Fathy Naglaa

  名古屋工業大学

• 大本 郁

  名古屋工業大学

• 安田 智成

  名古屋工業大学

• 木村 允哉

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 楊 凱

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 安田 智成

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 大橋 智仁

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 楊 凱

  名古屋工業大学 機能工学専攻

• ホウ ウジスグリム

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• ヴェッキーゾ ジュニ

  名古屋工業大学機能工学専攻

• オ ドンポリル

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院 機能工学専攻

• 阿部 哲士

  名古屋工業大学

• 佐治 学

  名古屋工業大学

• 西野 茂弘

  京都工芸繊維大学・工芸

• 西野 茂弘

  京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻

• 西野 茂弘

  京都工芸繊維大学

• 中村 敦

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 森口 幸久

  名古屋工業大学技術部

• 陳 義

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 増田 泰一

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 吉田 英朗

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐 美晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 白井 克典

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 佐治 学

  名古屋工業大学電気情報工学科

• KIMURA Masaya

  Nagoya institute of technology

• 陳 義

  京都工芸繊維大学

• ★山 年雄

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 増田 泰一

  京都工芸繊維大学

• 服部 翔

  名古屋工業大学工学研究科

• 〓山 年雄

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 大島 武

  日本原子力開発機構

• 小野田 皓司

  名古屋工業大学

• 西野 茂

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 中谷 慎一

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 秋田 貢一

  名古屋工業大学

• 吉川 泰史

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 西野 茂弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 平野 昌志

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 高松 弘行

  神戸製鋼所 電子技研

• 高松 弘行

  (株)神戸製鋼所

• 仲井 尊久

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 多田 篤志

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 高松 弘行

  (株) 神戸製鋼所

• 住江 信吾

  (株) 神戸製鋼所

• 伊藤 慎也

  名古屋工業大学、電気情報工学科

• 石神 俊一郎

  三菱マテリアル中央研究所

• 和田 隆夫

  三菱マテリアル

• 末吉 哲也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 井浪 潤二

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 冨田 綾一

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 荻野 博康

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 浅倉 英樹

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 森田 悦郎

  三菱マテリアルシリコン

• 田尻 寛享

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 森田 祥嗣

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 山田 登

  名古屋工業大学豊田中央研究所

• 吉野 孝博

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 赤羽 雄一

  名古屋工業大学

• 山 年雄

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• ★山 年雄

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 奥山 康生

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 吉野 孝博

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 畑中 卓哉

  名古屋工業大学

• 小川 隆興

  名古屋工業大学

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報学科

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著作論文

• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• 最新鋭の半導体工場
• SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• 光化学堆積法による室温動作水素ガスセンサの作製と評価
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウエハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
• HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
• 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
• 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
• 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
• 窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
• 金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価
• 光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価
• イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• C-12-30 ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用 LSI の設計
• KOH水溶液を用いた電気化学的手法による6H-Sicの微細加工の試み
• KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• C-12-32 パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• C-12-2 パルスニューロンモデルに基づく音源定位システム
• C-12-1 音源定位用LSIのための音圧差と時間差抽出回路の設計
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SOIウェーハ貼り合わせ界面付近のキャリア分布に及ぼすアニールの影響
• 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
• 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
• 液相成長Al_xGa_Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として
• 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO, SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-12-47 Neuron MOSFETを用いて構成した音源定位のためのLSI設計
• 電気化学堆積CuO薄膜へのHO処理 (電子部品・材料)
• 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
• 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
• 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
• 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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