光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• S_2O_2^<2->とZn^<2+>を含む水溶液から、光化学反応のみによりZnS薄膜をITO基板上に堆積させた。過剰Znの堆積を防ぐため次の二つの方法を試みた。(1)光照射をパルス状に断続的に行なう。(2)連続照射のまま溶液のZn^<2+>, S_2O_3^<2->濃度を最適化する。堆積された薄膜を表面粗さ計、分光光度計、オージェ電子分光法、光電気化学測定を使用して評価した。作製されたZnSはn型半導体の性質を持っていることが確認できた。しかし、パルス光照射の場合は僅かではあるがZnOも混入していることが判明した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-05-07

著者

• 小林 良平

  (株)シクスオン

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 小林 良平

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宮脇 哲哉

  名古屋工業大学

• 小林 良平

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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