光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価

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概要

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• 光導電減衰法において、キャリア注入光源に窒素ガスレーザ(λ=337.1nm)を用いることにより、3C-SiCのライフタイムの測定が可能であることを示した。この測定で得られた3C-SiCの過剰キャリアの減衰曲線には、長い時定数及び短い時定数の両方の成分を持つことが分かった。この理由を考えるため数値解析によって3C-SiCの過剰キャリアの減衰曲線を求めた結果、3C-SiCにおいて、再結合中心よりもはるかに多くのトラップが存在し、そのトラツプにおける電子の捕獲断面積が正孔の捕獲断面積に比べてはるかに小さいと予想できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-12-08

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 宇佐美 晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 古賀 祥泰

  名古屋工業大学

• 牧野 貴紀

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐 美晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 田尻 寛享

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 森田 祥嗣

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐美 晶

  名古屋工大

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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