格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長

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概要

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• GaAs基板上にIn_xGa_1-x>Asが液相エピタキシャル(LPE)成長可能であるのはxが0.2程度までであるとされてきた。本研究では、より組成の大きなIn_xGa_1-x>Asを(001)GaAs基板上にLPE成長させることを試みた。成長層表面は荒れた島状になるが、その表面を研磨、エッチングして平坦にした後、X線回折および偏光ラマン測定によって結晶性を調べた。その結果、広い組成範囲で単結晶状の層が基板とエピタキシャルに成長することが明らかとなった。また、x0.9ではIn組成の増加とともに結晶性が悪化するが、組成1近くでは逆に改善される傾向が見られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-05-20

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 中谷 慎一

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐美 晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 宇佐美 晶

  名古屋工大

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報学科

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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