イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価
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概要
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イオン注入技術により表面に高濃度層が形成されたシリコンの表面再結合状態を、レーザ, マイクロ波非接触法を用いて評価した。少数キャリアのライフタイムの測定から、すべての加速エネルギーに対して、ドーズ量の増加と共にライフタイムは増加し、また、イオン注入面の実効的な表面再結合速度は減少するという結果を得た。これはシリコン表面秋再結合がドーズ量の増加に伴う高濃度層のキャリア濃度の増加により実効的に抑制させたためと考えられる。この実験結果は、high-low接合界面での少数キャリアのはね返りにより予期される理論解析と一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
宇佐美 晶
名古屋工業大学電気情報工学科
-
吉田 英朗
名古屋工業大学電気情報工学科
-
牧野 貴紀
名古屋工業大学電気情報工学科
-
宇佐美 晶
名古屋工大
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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