3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価

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概要

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p型Si(100)基板上に、n型SiC(3C-SiC)をエピタキシャル成長させた試料に、Au(ショットキー)、Al(オーミック)電極を付け、容量DLTS測定を行った。注入パルス幅を十分長く与えて電子がトラップに十分捕獲された場合と、注入パルス幅を変えて電子のトラップ占有状態を変化させた場合の二つの場合について行い、電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価を行った。その結果、DLTS信号は160[K]付近と260[K]付近に二つピークが観測された。160[K]付近のピークでは温度Tを∞とした時の捕獲断面積δ_∞が6.0x10^<-17>cm^2,活性化エネルギーE_Aが0.34eV、260[K]付近のピークではδ_∞が9.5x10-18cm^2、E_Aが0.52eVとなった。また、どちらのトラップについても捕獲エネルギー障壁は、0.01eV程度と小さいことが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-05-22

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