光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜作製の研究においてZnOが生成したという報告を参考にPCD法によるZnO薄膜作製を試みた。ZnSO_4:50mM、Na_2SO_3:200mMを含む水溶液に0.1mMのNa_2S_2O_3を加え、酸素ガス(O_2)バブリングをすることでZnO薄膜が堆積可能であることが判明した。pH:11の溶液で作製した試料について光透過率測定、光電気化学測定を行ったところ、紫外域での光吸収とn型半導体であることを確認した。しかし、堆積速度は小さく、1時間の堆積で膜厚は0.02μmであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
著者
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