Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
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概要
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p型Si(100)基板上にn型3C-SiCをエピタキシャル成長させた試料について、バンドギャップ中央付近の深いエネルギー準位の欠陥を観測するため、およそ100から600Kの温度範囲で容量DLTS測定を行った。その結果、測定したすべての試料において150K付近でピークが見られた。さらに500K付近に幅の広いピークが見られた試料もあった。理論解析より、室温付近のピークは活性化エネルギー0.5〜leV、500K付近のピークは活性化エネルギー1.07〜1.35eVの欠陥による信号と推測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
山田 登
豊田中央研究所
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
古賀 祥泰
名古屋工業大学
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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