陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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高速・高耐圧性能を有するSiCショットキーダイオードは整流ダイオードとして実用化されているものの,その電流容量は十分とは言えない.この原因として結晶成長時に混入する結晶欠陥が整流特性を劣化させて,ダイオードの大面積化を阻害していることがあげられる.現在も結晶成長技術の研究が行われているが完全に結晶欠陥をなくすことはできず,結晶成長後に欠陥の悪影響を軽減するための方法も確立されていない.本研究では陽極酸化により4H-SiC表面の結晶欠陥位置に絶縁体である酸化膜を局所的形成することにより,その領域における非理想的な電気伝導を抑制しショットキーダイオード性能の改善を試みた.結果として,酸化後にショットキーダイオードのI-V特性が理想的なものに近づいた.
- 2011-05-12
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
市村 正也
名工大
-
木村 允哉
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
KIMURA Masaya
Nagoya institute of technology
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
加藤 正史
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
市村 正也
名古屋工業大学
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