市村 正也 | 名古屋工業大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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市村 正也
名工大
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市村 正也
名古屋工業大学大学院工学研究科
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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加藤 正史
名古屋工業大学
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加藤 正史
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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吉田 敦史
名古屋工業大学大学院工学研究科
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中島 佑基
名古屋工業大学機能工学専攻
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安田 智成
名古屋工業大学
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木村 允哉
名古屋工業大学大学院工学研究科
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楊 凱
名古屋工業大学機能工学専攻
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安田 智成
名古屋工業大学大学院工学研究科
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服部 翔
名古屋工業大学工学研究科
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楊 凱
名古屋工業大学 機能工学専攻
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KIMURA Masaya
Nagoya institute of technology
著作論文
- 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO, SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)