陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速・高耐圧性能を有するSiCショットキーダイオードは整流ダイオードとして実用化されているものの,その電流容量は十分とは言えない.この原因として結晶成長時に混入する結晶欠陥が整流特性を劣化させて,ダイオードの大面積化を阻害していることがあげられる.現在も結晶成長技術の研究が行われているが完全に結晶欠陥をなくすことはできず,結晶成長後に欠陥の悪影響を軽減するための方法も確立されていない.本研究では陽極酸化により4H-SiC表面の結晶欠陥位置に絶縁体である酸化膜を局所的形成することにより,その領域における非理想的な電気伝導を抑制しショットキーダイオード性能の改善を試みた.結果として,酸化後にショットキーダイオードのI-V特性が理想的なものに近づいた.
- 2011-05-12
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
市村 正也
名工大
-
木村 允哉
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
KIMURA Masaya
Nagoya institute of technology
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
加藤 正史
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院工学研究科
関連論文
- アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 最新鋭の半導体工場
- アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
- アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 学習・教育目標を利用した要素別GPA分析による学修指導の試み
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- C-12-19 CMOS型スイッチトカレントメモリセルに基づく低消費電力サンプルホールド回路(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- 国際会議に参加して(東海支部)
- A-1-18 アクティブノイズキャンセリングシステム用アナログ集積回路の設計(A-1.回路とシステム,一般講演)
- C-12-9 スイッチトカレント回路におけるチャージインジェクション誤差補償技術の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 (シリコン材料・デバイス)
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 (シリコン材料・デバイス)
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 (電子部品・材料)
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 (電子デバイス)
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 (シリコン材料・デバイス)
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 (シリコン材料・デバイス)
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 (電子部品・材料)
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 (電子部品・材料)
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 (電子部品・材料)
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 (電子デバイス)
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 (電子デバイス)
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 (電子デバイス)
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- KOH水溶液を用いた電気化学的手法による6H-Sicの微細加工の試み
- KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
- C-12-15 広い電圧余裕を持つ低電圧スイッチトカレントΔΣ変調器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 (電子デバイス)
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 (電子部品・材料)
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 (シリコン材料・デバイス)
- 電気電子工学系大学生の入学動機の時系列変化および大学間における相違の調査
- オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上(一般,音声・音響信号処理,音声及び一般)
- オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上(一般,音声・音響信号処理,音声及び一般)
- オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上(一般,音声・音響信号処理,音声及び一般)
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 卒業研究記録ノートの導入による卒業研究実施状況および達成度の把握
- アンケート調査に基づく高校生を対象とした啓発活動に関する一検討
- 卒業研究記録ノートの導入による卒業研究実施状況および達成度の把握
- 構築型スライドの事前提供と学生指名によるインタラクティブ授業の試み
- イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか(機能ナノデバイス及び関連技術)
- A-4-17 位相同期回路を利用したアナログ回路によるハウリング低減の試み(A-4.信号処理)
- A-4-16 ダクト内消音用2入力ニューラルネットワークアナログANC回路(A-4.信号処理)
- 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
- オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上