市村 正也 | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻

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  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 加藤 正史

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 吉田 敦史

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 森口 幸久

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 服部 翔

  名古屋工業大学工学研究科

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• オ ドンポリル

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 森口 幸久

  名古屋工業大学

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院 機能工学専攻

• 中島 佑基

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 安田 智成

  名古屋工業大学

• 木村 允哉

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• KIMURA Masaya

  Nagoya institute of technology

• 楊 凱

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 安田 智成

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 楊 凱

  名古屋工業大学 機能工学専攻

• 大島 武

  日本原子力開発機構

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著作論文

• 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO, SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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