市村 正也 | 名工大
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概要
関連著者
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市村 正也
名工大
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学大学院工学研究科
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加藤 正史
名古屋工業大学
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加藤 正史
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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吉田 敦史
名古屋工業大学大学院工学研究科
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中島 佑基
名古屋工業大学機能工学専攻
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
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森口 幸久
名古屋工業大学 電気情報工学科
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安田 智成
名古屋工業大学
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木村 允哉
名古屋工業大学大学院工学研究科
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楊 凱
名古屋工業大学機能工学専攻
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安田 智成
名古屋工業大学大学院工学研究科
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服部 翔
名古屋工業大学工学研究科
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楊 凱
名古屋工業大学 機能工学専攻
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ホウ ウジスグリム
名古屋工業大学、機能工学専攻
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宋 瑛
名古屋工業大学機能工学専攻
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吉原 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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ヴェッキーゾ ジュニ
名古屋工業大学機能工学専攻
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オ ドンポリル
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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森口 幸久
名古屋工業大学
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吉原 一輝
名古屋工業大学大学院 機能工学専攻
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坂 真澄
東北大
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神谷 庄司
名工大
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坂 真澄
東北大学大学院
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坂 真澄
東北大学大学院工学研究科
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坂 真澄
東北大学
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KIMURA Masaya
Nagoya institute of technology
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大島 武
日本原子力開発機構
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ポール オリバー
フライブルク大学
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ルーター パトリック
フライブルク大学
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天木 伸吾
名工大院
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本田 直子
名大院
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井上 大喜郎
名工大院
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ポール オリバー
フライブルク大
著作論文
- 3953 多結晶シリコン薄膜の強度と疲労特性(S21-3 強度物性と信頼性,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
- 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 1843 半導体材料の高サイクル疲労特性に関する研究(J09-1 マイクロ構造・材料の強度評価,J09 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO, SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 電気化学堆積CuO薄膜へのHO処理 (電子部品・材料)
- 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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