光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 光化学堆積は水溶液に紫外線を照射することで反応を誘起して基板に薄膜を堆積させる方法である。本研究では、Cu_xSとZnSの混晶である新たな半導体Cu_xZn_ySの薄膜を光化学堆積にて作製した。Cu_xSは1.7〜2.5eVのバンドギャップを持つp型半導体であり、ZnSは3.65eVのバンドギャップを持つn型半導体である。純水に硫酸銅、硫酸亜鉛、チオ硫酸ナトリウムを溶かし、その濃度やpHなどを変え堆積を行った。その結果、バンドギャップが2.4〜3.7eVのp型の薄膜が得られた。

• 2011-10-19

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名工大

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 市村 正也

  名古屋工業大学

関連論文

• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• 最新鋭の半導体工場
• SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• 光化学堆積法による室温動作水素ガスセンサの作製と評価
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウエハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
• HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
• 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
• 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
• 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
• 窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
• 金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価
• 光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価
• イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• C-12-30 ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用 LSI の設計
• KOH水溶液を用いた電気化学的手法による6H-Sicの微細加工の試み
• KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• C-12-32 パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• C-12-2 パルスニューロンモデルに基づく音源定位システム
• C-12-1 音源定位用LSIのための音圧差と時間差抽出回路の設計
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク