光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製

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概要

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• SeO_3^<2->イオンとSO_3^<2->イオンを溶かした溶液と、この二種類のイオンにCd^<2+>イオンを加えた溶液から光化学反応のみにより、それぞれSeおよびCdSe薄膜をガラス基板上に堆積した。試料作製溶液中のSO_3^<2->イオンが300nm以下の波長の紫外線を吸収し、励起されたSO_3^<2->イオンが電子をSeO_3^<2->イオンとCd^<2+>イオンに供給することにより、照射領域のみでSeおよびCdSeの生成反応が起きた。堆積した膜はアモルファス状であり、アニールを施すことによりそれぞれ結晶性は向上した。

• 2000-10-13

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 中村 敦

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 竹内 一喜

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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