荒井 英輔 | 名古屋工業大学
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概要
関連著者
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荒井 英輔
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
市村 正也
名古屋工業大学
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内田 秀雄
名古屋工業大学電気情報工学科
-
加藤 正史
名古屋工業大学
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山田 登
豊田中央研究所
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浅井 寛
名古屋工業大学電気情報工学科
-
浅井 寛
名古屋工業大学電気情報工学料
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竹内 一喜
名古屋工業大学電気情報工学科
-
後藤 文孝
名古屋工業大学電気情報工学科
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佐藤 直也
名古屋工業大学
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小野 雄平
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
家木 靖
名古屋工業大学電気情報工学科
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徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
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邵 春林
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
-
徳田 豊
愛知工業大学
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住江 伸吾
名古屋工業大学電気情報工学科
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岸野 裕介
名古屋工業大学
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古賀 祥泰
名古屋工業大学
-
邵 春林
名古屋工業大学
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住江 伸吾
神戸製鋼所 プロセス技研
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高木 晋吾
名古屋工業大学
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中島 裕明
名古屋工業大学
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市村 正也
共同研究センター
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小林 良平
(株)シクスオン
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
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柴田 和幸
名古屋工業大学電気情報工学科
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川内 康弘
名古屋工業大学 電気情報工学科
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兼近 将一
豊田中央研究所
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中村 俊一
京都大学工学研究科電子工学
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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加地 徹
豊田中研
-
兼近 将一
豊田中研
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加地 徹
豊田中央研究所
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平野 昌志
名古屋工業大学電気情報工学科
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山崎 芳文
富士ゼロックス株式会社
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小林 良平
名古屋工業大学電気情報工学科
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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田中 正一
名古屋工業大学
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中村 俊一
京都大学工学研究科
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藤島 修
豊田中央研究所
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渡辺 英樹
名古屋工業大学
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森 健洋
名古屋工業大学電気情報工学科
-
橋爪 英久
名古屋工業大学電気情報工学科
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飯田 大介
名古屋工業大学電気情報工学料
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山本 忠興
名古屋工業大学電気情報工学科
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中島 圭吾
名古屋工業大学電気情報工学科
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冨田 陵一
名古屋工業大学電気情報工学科
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鶴丸 厚
名古屋工業大学電気情報工学科
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池野 孝宏
名古屋工業大学電気情報工学科
-
小林 良平
名古屋工業大学
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祖父江 文孝
名古屋工業大学
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吉野 孝博
名古屋工業大学大学院工学研究科
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大橋 智仁
名古屋工業大学 電気情報工学科
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阿部 哲士
名古屋工業大学
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学
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高松 弘行
神戸製鋼所 電子技研
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高松 弘行
(株)神戸製鋼所
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中村 敦
名古屋工業大学電気情報工学科
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荒井 英輔
名古屋工業大学 機能工学専攻
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陳 義
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
増田 泰一
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
吉野 孝博
名古屋工業大学電気情報工学科
-
陳 義
京都工芸繊維大学
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★山 年雄
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
増田 泰一
京都工芸繊維大学
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〓山 年雄
名古屋工業大学 電気情報工学科
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寺田 信行
名古屋工業大学大学院工学研究科機能工学専攻
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西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
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吉川 泰史
名古屋工業大学電気情報工学科
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荒井 英輔
名古屋工業大学電気情報工学科
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学工芸学部
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加藤 直樹
株式会社 日立製作所 中央研究所
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加藤 直樹
名古屋工業大学電気情報工学科
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住江 伸吾
(株)神戸製鋼所
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加藤 直樹
日立 中研
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山内 功次
名古屋工業大学電気情報工学科
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多田 篤志
名古屋工業大学電気情報工学科
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高松 弘行
(株) 神戸製鋼所
-
住江 信吾
(株) 神戸製鋼所
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伊藤 慎也
名古屋工業大学、電気情報工学科
-
冨田 綾一
名古屋工業大学電気情報工学科
-
田尻 寛享
名古屋工業大学電気情報工学科
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山田 登
名古屋工業大学豊田中央研究所
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豊島 正和
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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赤羽 雄一
名古屋工業大学
-
山 年雄
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
★山 年雄
名古屋工業大学電気情報工学科
-
伊藤 智尚
名古屋工業大学電気情報工学科
-
櫛田 幸一郎
名古屋工業大学 機能工学専攻
-
畑中 卓哉
名古屋工業大学
-
小川 隆興
名古屋工業大学
著作論文
- SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
- SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
- 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
- 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
- 反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウエハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
- C-12-19 CMOS型スイッチトカレントメモリセルに基づく低消費電力サンプルホールド回路(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 貼り合わせSOI中の過剰キャリアライフタイムの温度依存性
- NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
- NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
- NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
- 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
- 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
- MOSトランジスタの制限因子と微細化極限の検討
- ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用LSIの設計
- C-12-30 ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用 LSI の設計
- KOH水溶液を用いた電気化学的手法による6H-Sicの微細加工の試み
- KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
- C-12-32 パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
- パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
- パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
- C-12-2 パルスニューロンモデルに基づく音源定位システム
- C-12-1 音源定位用LSIのための音圧差と時間差抽出回路の設計
- リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
- リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
- リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
- SOIウェーハ貼り合わせ界面付近のキャリア分布に及ぼすアニールの影響
- C-12-15 広い電圧余裕を持つ低電圧スイッチトカレントΔΣ変調器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 光化学堆積法によるZnSの堆積
- 光化学堆積法によるZnSの堆積
- 光化学堆積法によるZnSの堆積
- 光化学堆積法による硫化物半導体の作製と評価
- 光化学堆積法による硫化物半導体の作製と評価
- パルスニューロンモデルに基づく音源定位システムと低消費電力ニューロン回路の設計(電子回路)
- Siウェーハのライフタイムの温度依存性
- 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性
- 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性
- C-12-47 Neuron MOSFETを用いて構成した音源定位のためのLSI設計
- 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
- 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
- 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布