HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
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概要
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HMDS(ヘキサメチルジシラン(Si_2(CH_3)_6))ガスを用いn型Si(100)基板上にn型3C-SiCをヘテロエピタキシャル成長させ、その3C-SiC試料の電気的欠陥を容量DLTS法によって評価した。ここで試料は成長時間を変えることで、様々な膜厚に成長させてある。様々な膜厚の試料を評価することによって膜厚と電気的欠陥の相関性を調査した。その結果、膜厚が薄い試料は幅広いエネルギー準位に欠陥が存在することがわかったが、ある程度膜厚が厚くなると活性化エネルギーが約0.25eVの単一の欠陥のみになることがわかった。これはシラン、プロパン系のガスで成長させた3C-SiCで見られる欠陥よりわずかに浅い準位に位置する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-21
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学工芸学部
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
陳 義
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
増田 泰一
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
陳 義
京都工芸繊維大学
-
増田 泰一
京都工芸繊維大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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