SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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過剰キャリアライフタイムは半導体材料の結晶品質を反映する重要なパラメータである。それは、多くのデバイス、特にバイポーラデバイスや高周波デバイスに影響を与える。SiCはSiに代わる次世代半導体材料として注目されているが、ライフタイムが短いという問題があり広く実用化されるには至っていない。本研究では、ライフタイムに影響を与える因子を明らかにすることを目的とし、バルクSiCウェハのライフタイム測定を行い、その結果を構造欠陥分布やキャリア濃度分布と比較した。その結果、n型試料においてライフタイムが相対的に長い領域は構造欠陥が集中している領域に対応しており、逆にp型試料においてはライフタイムが相対的に短い領域が構造欠陥の集中している領域に対応していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-07
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
住江 伸吾
名古屋工業大学電気情報工学科
-
森 健洋
名古屋工業大学電気情報工学科
-
橋爪 英久
名古屋工業大学電気情報工学科
-
住江 伸吾
神戸製鋼所 プロセス技研
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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