電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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4H-SiCショットキーダイオードは高速,高耐圧の整流器への応用が期待されている.しかし,SiCショットキーダイオードにおいてショットキー障壁高さがデバイス中で一様でなく,順方向特性が安定しないという報告がされている.本研究では,ZnOの電気化学堆積により4H-SiC表面においてショットキー障壁高さの低い位置の可視化を試みた.そして,ZnOを除去後ZnOが堆積した位置と堆積しなかった位置にNiショットキーダイオードを作製し,両者のショットキー障壁高さの比較を行った.また,ZnOが堆積した位置と溶融塩エッチングにより可視化したエッチピットの位置の比較を試みた.その結果,ZnOが堆積した位置に作製したショットキーダイオードのショットキー障壁高さはZnOが堆積しなかった位置に作製したものよりも低かった.また堆積させたZnOは約半分のものがエッチピットの位置に堆積したが,エッチピットのない位置に堆積したものも存在した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-08
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