ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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• 窒化ガリウム(GaN)は大きなバンドギャップを持つ半導体であり、光デバイスにおいて実用化されているが、電子デバイスへの応用も期待されている。半導体材料において過剰キャリアライフタイムはデバイス性能に影響を与える重要なパラメーターの1つである。そこで、本研究ではGaNの過剰キャリアライフタイム(以下、ライフタイム)をマイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法を用いて測定した。測定試料にはn-GaN, undoped GaN, p-GaNを用い、それらに対してドライエッチング法の1つであるICP(Inductively Coupled Plasma)処理を施した試料も測定した。すべての試料において、キャリアの減衰曲線に速い成分と遅い成分に分かれていた。また、p-GaNは他の試料に比ベライフタイムが短かった。ICP処理は、as-grownに対してundoped GaNにおいてライフタイムを増加させ、p-GaNにおいてはライフタイムを減少させた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-05-20

著者

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 兼近 将一

  株式会社 豊田中央研究所

• 兼近 将一

  豊田中央研究所

• 加地 徹

  豊田中研

• 兼近 将一

  豊田中研

• 加地 徹

  豊田中央研究所

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 加地 徹

  株式会社豊田中央研究所

• 藤島 修

  豊田中央研究所

• 渡辺 英樹

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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