加地 徹 | 株式会社豊田中央研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
加地 徹
豊田中研
-
加地 徹
株式会社豊田中央研究所
-
加地 徹
豊田中央研究所
-
兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中研
-
石黒 修
豊田中研
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
上杉 勉
豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中央研究所
-
石黒 修
豊田中央研究所
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
-
上杉 勉
豊田中研
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
-
上田 博之
豊田中研
-
副島 成雅
豊田中研
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車
-
加地 徹
(株)豊田中央研究所
-
三鴨 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
福島 圭亮
名古屋工業大学大学院
-
福島 圭亮
名古屋工業大学
-
上田 博之
豊田中央研究所
-
成田 哲生
豊田中央研究所
-
上杉 勉
株式会社豊田中央研究所
-
高橋 直子
(株)豊田中央研究所 表面分析研究室
-
菊田 大悟
豊田中研
-
徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
樹神 雅人
豊田中研
-
林 栄子
豊田中研
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
-
松岡 陽一
愛知工業大学
-
妹尾 武
愛知工業大学
-
副島 成雅
豊田中央研究所
-
徳田 豊
愛知工業大学
-
藤島 修
豊田中央研究所
-
渡辺 英樹
名古屋工業大学
-
菊田 大悟
豊田中央研究所
-
高橋 直子
豊田中央研究所
-
片岡 恵太
豊田中央研究所
-
木本 康司
豊田中央研究所
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
上杉 勉
(株)豊田中央研究所
-
加納 浩之
豊田中央研究所
-
伊藤 博
豊田中央研究所
-
松田 守弘
(株)豊田中央研究所
-
伊藤 博
(株)豊田中央研究所システム1部光応用研究室
-
兼近 将一
(株)豊田中央研究所
-
成田 哲生
豊田中研
-
伊藤 健治
豊田中研
-
樹神 雅人
(株)豊田中央研究所
-
副島 成雅
(株)豊田中央研究所
-
林 栄子
(株)豊田中央研究所
-
前田 光俊
(株)豊田中央研究所
著作論文
- GaN縦型pnダイオードの評価
- 縦型GaNパワーデバイスの開発
- 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
- 車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- シボ(皺)面光沢測定法の検討
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- レーザアブレーション法の分子線源としての可能性
- GaN縦型パワーデバイの最近の進展
- GaN縦型パワーデバイの最近の進展(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
- GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CS-9-5 GaNパワーデバイスの車への応用(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- パワーエレクトロニクスの基礎 : GaNパワーデバイス技術
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子デバイス)
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子部品・材料)
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (シリコン材料・デバイス)
- ワイドギャップ半導体パワーデバイスの自動車応用
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))