副島 成雅 | 豊田中研
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概要
関連著者
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副島 成雅
豊田中研
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加地 徹
豊田中研
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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上田 博之
豊田中研
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石黒 修
豊田中研
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副島 成雅
(株)豊田中央研究所
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上杉 勉
豊田中央研究所
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杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
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渡辺 行彦
豊田中央研究所
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光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
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吉田 友幸
(株)豊田中央研究所
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渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
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徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
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徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
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上杉 勉
豊田中研
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樹神 雅人
豊田中研
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林 栄子
豊田中研
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上田 博之
豊田中央研究所
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加地 徹
豊田中央研究所
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樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
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光嶋 康一
(株)豊田中央研究所半導体デバイス・センサ研究室
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松岡 陽一
愛知工業大学
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妹尾 武
愛知工業大学
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石黒 修
豊田中央研究所
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副島 成雅
豊田中央研究所
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徳田 豊
愛知工業大学
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杉本 雅裕
トヨタ自動車
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兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中研
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伊藤 健治
豊田中研
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樹神 雅人
(株)豊田中央研究所
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林 栄子
(株)豊田中央研究所
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上杉 勉
(株)豊田中央研究所
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加地 徹
(株)豊田中央研究所
著作論文
- 縦型GaNパワーデバイスの開発
- 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
- ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からゲート酸化膜寿命予測
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)