ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

概要

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自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n^+基板上にn層(10μm,Si〜2x10^<16>cm^<-3>)、p層(1μm,Mg〜3x10^<19>cm^<-3>)成長試料と同様なn層上にp層(0.5μm,Mg〜5x10^<18>cm^<-3>)/p^+層(0.1μm,〜1x10^<20>cm^<-3>)成長試料を作成した。その後ICPエッチングによりメサ構造を形成した。ICP後にウエットエッチング処理した試料では、電流-電圧特性の向上が見られた。アドミタンススペクトロスコピーからは、Mgに関連した信号が観測された。DLTS測定から、2個の多数キャリアトラップ(0.26,0.59 eV)と1個の少数キャリアトラップ(0.89eV)が観測された。他に明瞭なピークとはならないが2個の少数キャリアトラップがある。これらの中で、0.89eV少数キャリアトラップの濃度が最も高い(1.3x10^<15>cm^<-3>)。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-10-04