バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、今までの実験においてバルクGaAs結晶中トラップEL5、EL6を一定容量電圧過渡分光法(CCVTS法)により評価し、EL5、6が6つのトラップA1〜A6からなり、その内2つのトラップA4、A5は双安定の関係にあることを示した。今回、我々はバルクGaAs結晶中トラップEL2についてCCVTS法により評価し、捕獲パルス幅を変化させることにより、酸素関連トラップであると報告されているELOを分離した。DLTSにおいてEL3付近に観測される別の酸素関連トラップと報告されているOXについて、EL3付近をCCVTS法で評価することでELOとの対応を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-22
著者
-
伊藤 明
鈴鹿工業高等専門学校電子情報工学科
-
池田 幸治
愛知工業大学工学研究科
-
徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
伊藤 明
鈴鹿工業高等専門学校
-
白木 弘幸
三菱マテリアル総合研究所
-
佐々 紘一
三菱マテリアル総合研究所
-
徳田 豊
愛知工業大学
-
白木 弘幸
三菱マテリアル(株)シリコン研究センター
-
佐々 紘一
三菱マテリアル株式会社 総合研究所
関連論文
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価
- 寄生抵抗成分を含むダイオードの容量測定
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- 一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価
- バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
- バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
- 鈴鹿高専における国際化教育への取り組み
- 光転写法による光学素子の作製と精密光技術応用システムに関する研究
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 低温水素イオン注入により導入されたシリコン結晶欠陥の特性分析
- プロトン剥離現象における不純物依存性
- プロトン注入シリコンの加熱その場観察(プロジェクト研究)
- 低温水素イオン注入シリコンの欠陥構造分析 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- Hイオン注入されたシリコンの欠陥分布観察(プロジェクト研究)
- 435 H^+注入されたSiの加熱剥離挙動(O.S.9. 機能薄膜創成と物性)
- 水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 高ドーズ水素イオン注入シリコンの物性とそのSOI製作への応用
- 水素イオン注入により発生したシリコン結晶内プレートレットのTEM観察
- 水素イオン注入欠陥のその場加熱観察
- 水素イオン注入欠陥層のプレートレット分布評価
- p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価
- パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作
- X線光電子分光法によるGaAs表面の評価
- ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性
- MOS界面準位密度の自動測定
- 半導体接合容量を用いた不純物濃度測定へのマイクロコンピュ-タの応用
- 中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理
- 半導体中の深い準位を検出するための一方法
- 中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響
- pn接合ダイオードにおける少数キャリア蓄積効果の解析
- 435 活動電位を入力信号とする筋収縮システムモデルの作成(OS4-9,オーガナイズドセッション4:生体のモデリング・シミュレーション・計測,学術講演)
- 425 ヒト上腕二頭筋のslow release特性の解明(OS4-7,オーガナイズドセッション4:生体のモデリング・シミュレーション・計測,学術講演)
- pn接合ダイオードにおける少数キャリア蓄積効果の解析
- 誘導電荷型静電アクチュエータの出力特性の計算
- 非定常光照射下での半導体中過剰少数キャリア分布の解析
- (103)環境問題と進学先決定について学ぶための「工場見学旅行」(第28セッション 工学教育の個性化・活性化システム(III))
- パラレルインターフェースを用いた電子制御演習
- 「電磁気学」の実験的・可視的教育のためのシステム開発研究I
- Webマガジン出版に関する一考察
- 電子線照射,P^+イオン注入を行った n-Si 中の点欠陥の評価
- (123) パソコンの入門から応用までの実践教育の試み : 公開講座「パソコン入門」(第31セッション 教育研究指導・教育システムなど)
- (122) 理工系教育推進の一環としての移動型電子情報実験教室 : 「体験:わくわく電子ワールド」(第31セッション 教育研究指導・教育システムなど)
- 21pXA-10 Si 中の白金近傍での水素運動ダイナミクス
- Li_2B_4O_7結晶の紫外変換特性
- OF4 四ほう酸リチウムでのSAW速度変動とその原因(超音波基礎)
- 低速育成CZ-Si結晶における転位クラスターの形成過程(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- (30)「電磁気学」の実践的教育のためのシステム開発研究(第8セッション 教育研究指導(III))
- 31a-WG-9 高専・大学における「電磁気学」の実践的教育のためのシステム開発研究
- プラズマスパッタ法によるボロン薄膜生成とその特性評価
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- Arduino,XBeeを用いたワイヤレス温度計測システムの構築
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 蒸気圧制御引上法によるGaAs融液の組成制御 : 液体物性
- DLTS法によるSiCショットキダイオードの電子トラップの評価(工学部:電気学科 電気工学専攻・電子工学専攻・情報通信工学専攻)
- 中学生を対象としたものづくりの試みー模型自動車の赤外線制御ー
- 電子情報工学実験テーマの改善