RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価
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概要
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High dose Hydrogen implantation (80keV, 5×10^<16>H・cm^<-2>) induce exfoliation phenomena after 500℃ heating. In this study, for making of the influence of impurity clear, the damaged layer in the hydrogen-implanted silicon was observed with cross sectional transmission electron microscopy and channeling Rutherford backscattering spectroscopy. The behaviors of three types of specimens (p++, p and n type, respectively) were compared The quantity of defect is proportional to the concentration of dopant, and it is interesting to note that p++ and p type had a sharp peak in the depth profile, but n type had a broad peakand a second peak in a shallow region.
著者
-
伊藤 慶文
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
石神 龍哉
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
石神 龍哉
若狭湾エネルギー研究センター
-
高木 誠
愛知工業大学工学部機械学科
-
高木 誠
愛知工大
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
岩田 博之
愛知工学部工学部電子工学科
-
清水 孝延
愛知工学部工学部電子工学科
-
横井 久人
愛知工学部工学部電子工学科
-
伊藤 慶文
若狭湾エネルギー研究センター
-
高木 誠
愛知工業大学
-
岩田 博之
愛工大
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