3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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Si(111)基板へのC^+イオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)構造基板上へMOVPE成長させたInN膜と同成長条件で行ったサファイア基板上InN膜を比較研究した。3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、GaNバッファ層成長の直前に3c-SiC/Si(111)構造基板の窒化処理(900℃、30分)を導入した結果、GaNバッファ層の島状成長は抑制され、結晶粒が小さい均一なGaNバッファ層が得られた。その結果、窒化処理を導入した3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜の表面モフォロジは、サファイア基板上膜表面と顕著な差がみられなかった。さらに、3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜の電気的・光学的特性もサファイア基板上膜とほぼ同等な品質のInN膜が得られた。このように、3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、基板の窒化処理を導入することにより高品質なInN膜が得られることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-05
著者
-
小林 隆弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
山本 皓勇
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
伊藤 慶文
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
澤崎 尚樹
福井大学工学部
-
趙 明秀
福井大学工学部
-
山本 嵩勇
福井大学工学部
-
伊藤 慶文
若狭湾エネルギー研究センター
-
山本 高勇
福井大学工学部
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