MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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InGaNとInAINによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件を確立し、中間組成領域のInAlNとInGaNとのヘテロ構造の作製を検討した。その結果、相分離やIn析出のないn-In_<0.3>Al_<0.7>N/p-In_<0.2>Ga_<0.8>Nヘテロ接合を作製し、この構造で初めて整流性と光応答を確認した。
2011-10-19

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