ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_<1-x>O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温(≲500℃)で形成したInN膜には酸素が混入し易く、成長膜はInNとIn_2O_3との混晶、InN_<1-x>O_x、になっていると考えられている。In_2O_3が光触媒活性を有することに着目し、InN_<1-x>O_x膜の光触媒活性を評価した。光触媒効果としてはH_2Sの分解特性を調べた。その結果、成長温度200℃以下のInN_<1-x>O_x膜が優れた光触媒活性を有することを初めて見出した。既存の光触媒材料であるTiO_2やIn_2O_3との比較を行った結果、InN_<1-x>O_x膜の分解効果の方が優れていることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-05
著者
-
小林 隆弘
福井大学工学部
-
宮西 正芳
福井大学工学部
-
高橋 尚也
福井工業高等専門学校
-
高山 勝己
福井工業高等専門学校
-
南保 幸男
日華化学(株)
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
山本 皓勇
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
山本 嵩勇
福井大学工学部
-
山本 高勇
福井大学工学部
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