メソスコピック光導波路の伝送特性の解析 (3)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年, コヒーレントな多重散乱のスケールが波長そのものと同程度の光波のメソスコピック領域において, 電子波の現象として知られるバンドギャップの形成やアンダーソン局在の慨念を利用した従来とは異なる動作原理に基づいた新しい光素子の開発に関心が集まっている。周期構造によるフォトニックバンドギャップ(阻止域)の形成は, 完全無損失反射部を利用した微小共振器への応用が考えられる。一方, 非周期構造における光局在現象は, 強電界と電子波の相互作用による非線形光学効果を利用した光デバイスへの応用が期待されている。我々はこれまで非周期光導波路構造を持つ光共振器における光局在ついて解析してきた。本報告では, 図1のように通常の導波路とメソスコピック導波路が接続された場合の伝送特性について変数分離法によって解析し, メソスコピック導波路の阻止域の形成と区間長の関係について検討する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
大高 眞人
福井大学工学部電気・電子工学科
-
橘 正純
富士通北陸通信システム
-
山登 猛
松下電器産業
-
大高 眞人
福井大工学部
-
山登 猛
福井大工学部
-
橘 正純
福井大工学部
-
橋本 明弘
福井大工学部
関連論文
- ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 高In組成(1〜0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長
- 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般)
- Si(111)へのC^+イオン注入によるc-SiC/Si構造基板上へのGaN、InNのヘテロエピ成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
- CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 導波路構造を持つメソスコピック光共振器の解析
- 強制振動子法によるポ-ラスSiの格子振動の解析
- MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象(薄膜プロセス・材料,一般)
- MOVPE成長InNのフォトルミネッセンス(薄膜プロセス・材料,一般)
- MOVOE成長InNのフォトルミネッセンス
- CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高In組成(1〜0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成(1〜0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MOVPE成長InNのtilt、twist角分布の成長条件依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 解析的近似解法による周期構造を持つ導波路の解析
- C-3-18 解析的近似解法によるフォトニック結晶導波路の規範解の導出
- 損失媒質を含む電磁波導波路の有限要素法解析における精度の検討
- 電磁波散乱問題境界要素法解析の条件数による評価
- PBG構造を用いた多層構造の電磁波透過特性のFDTD解析
- C-1-24 フォトニック結晶導波路のFD-TD法解析における誘電体境界の取り扱い
- 解析的近似解法によるフォトニック結晶を用いた光導波路の伝送特性の解析
- メソスコピック光導波路の伝送特性の解析的近似解
- ジメチルヒドラジン(DMHy)を用いたGaAs基板の窒化処理
- メソスコピック光導波路の伝送特性の解析(5)
- メソスコピック光導波路の伝送特性の解析 (3)
- メソスコピック光導波路の伝送特性の解析
- メソスコピック光導波路構造ににおける光の強局在(5)
- 導波路構造を持つメソスコピック光共振器の解析
- メソスコピック光導波路の伝送特性の解析(2)
- ベクトル形状関数を用いた導波路の有限要素法解析における計算精度の検討
- 損失・利得のある導波路のベクトル有限要素解析法--電界の横成分と磁界の縦成分を用いる方法
- ベクトル有限要素法による導波路固有モ-ドの解析--電界横成分と磁界縦成分による方法
- AlGaAs非線形導波路による赤外光の差周波発生法
- 複合共振器構成による半導体レ-ザの広帯域周波数変調動作法
- ベクトル有限要素法による導波路固有モ-ドの解析--新しい変分表現式によるスプリアス解のない解析法
- ベクトル変分法の結合形誘電体光線路解析への応用-1-試行関数の選択条件
- 3次元異方性誘電体光線路の導波モ-ドのベクトル変分法による解析
- 異方性誘電体光線路の解析のためのベクトル変分表現式
- Siおよびα-Al_2O_3基板上へのInNのMOCVD成長
- 計算精度を制御できる数値ラプラス逆変換法
- 対流圏気温分布の三次元計測のためのUV域レイリ一散乱ライダーの提案
- 解析的近似解法による周期構造を持つ導波路における規範解の導出
- 22aTE-1 グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- NH_3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- FFTを用いた数値ラプラス逆変換の一手法(技術談話室)
- MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長
- 異方性媒質を含む誘電体方形線路の導波モ-ドの解析
- 異方性媒質を含む誘電体方形線路における導波モ-ドの変分法による解析