ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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NH_3が波長200 nm以下の紫外光に対して100-1000/cm・atmという大きな吸収係数を有することに着目して、ArFエキシマレーザ(波長193 nm)を用いてNH_3及びTMIの光分解過程を検討し、InN膜の高品質化および低温成長の可能性を追求した。その結果、NH_3の光分解が主要因となって室温という極めて低温から均一性に優れた薄膜が形成できることを示した。特に、従来の熱分解MOCVD法に比べ1/50〜1/100のNH_3供給量で従来以上の成長速度を持つInN成長が可能であることを明らかにした。さらに、成長温度の低下によって膜中の酸素混入量が大幅に増大することを見出し、光吸収端の成長温度依存性から、従来スパッター法などで作製され禁止帯幅が約2eVであるとされてきた物質はInNO_xである可能性が大きいことを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-04
著者
-
杉田 憲一
福井大学工学部
-
南保 幸男
日華化学(株)
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
笠島 健
福井大学工学部
-
Bhuiyan A.
福井大学工学部
-
山本 〓勇
福井大学工学部
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