山本 〓勇 | 福井大学大学院工学研究科

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 福井大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 橋本 明弘

  福井大学工学部

• 橋本 明弘

  福井大学大学院工学研究科

• 山本 〓勇

  福井大学大学院工学研究科

• 山本 皓勇

  福井大学工学部

• 山本 嵩勇

  福井大学工学部

• 山本 高勇

  福井大学工学部

• 永井 泰彦

  福井大学大学院工学研究科

• 杉田 憲一

  福井大学工学部

• 三輪 浩士

  福井大学工学部

• 永井 泰彦

  福井大学工学部

• 山本 〓勇

  福井大学工学部

• 宝珍 禎則

  福井大学大学院工学研究科

• 南保 幸男

  日華化学(株)

• 丹羽 弘和

  福井大学工学部

• 小林 隆弘

  福井大学工学部

• 笠島 健

  福井大学工学部

• Bhuiyan A.

  福井大学工学部

• 浜野 裕介

  福井大学工学部

• 高塚 浩史

  福井大学工学部

• Bhuiyan A.

  福井大学大学院工学研究科

• 杉田 憲一

  福井大学大学院工学研究科

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研

• 宮西 正芳

  福井大学工学部

• 高橋 尚也

  福井工業高等専門学校

• 高山 勝己

  福井工業高等専門学校

• 伊藤 慶文

  (財)若狭湾エネルギー研究センター

• 澤崎 尚樹

  福井大学工学部

• 趙 明秀

  福井大学工学部

• 渡邉 則之

  Nttフォトニクス研究所

• 王 文軍

  福井大学VBL

• 宝珍 禎則

  福井大学工学部

• 伊藤 慶文

  若狭湾エネルギー研究センター

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 廣長 大造

  福井大学大学院工学研究科

• 三原 章宏

  福井大学工学部

• Bhuivan Ashraful

  福井大学工学部

• 堀田 徹

  福井大学大学院工学研究科

• 山木 〓勇

  福井大学大学院工学研究科

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• Bhuiyan Ashraful

  福井大学工学部

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

もっと見る 閉じる

著作論文

• ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• 高In組成(1〜0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長
• 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
• MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOVPE成長InNのフォトルミネッセンス(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOVOE成長InNのフォトルミネッセンス
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高In組成(1〜0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高In組成(1〜0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• MOVPE成長InNのtilt、twist角分布の成長条件依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• NH_3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク