3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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Si基板へのC^+イオン注入により作製した3c-SiC/Si基板上にMOVPE法を用いて成長させたGaN膜は凹凸の激しい表面になる。今回、その原因解明と対応策について検討した。凹凸形成の原因は、GaNバッファが島状成長し、GaNバッファが成長していないSiC表面からGaN膜が直接成長したためである。さらに、GaNバッファ成長前に基板表面の窒化処理を導入することにより、平坦なGaN成長膜を得ることができることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-05
著者
-
小林 隆弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
山本 皓勇
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
伊藤 慶文
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
澤崎 尚樹
福井大学工学部
-
趙 明秀
福井大学工学部
-
山本 嵩勇
福井大学工学部
-
伊藤 慶文
若狭湾エネルギー研究センター
-
山本 高勇
福井大学工学部
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