極化成法を用いたill-V族化合物半導体子細線構造の作製とその評価
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概要
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Quantum wire are very attractive structures due to their superior electrical and optical properties for the various device applications such as the high speed transport devices and the high performance semiconductor lasers. In this paper，we propose a new method to fabricate the vertical quantum wire structures electrochemically from the Ⅲ -V compound semiconductor materials such as GaAs and InP. The structures and the optical properties of the anodized layers are discussed.
- 福井大学工学部の論文
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