MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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バルクGaN基板上へのIn極性、N極性InN膜のMOVPE成長について検討した。Ga極性GaN基板上にはIn極性のInNが、N極性GaN基板上へはN極性InNが成長することを確認した。InN膜の表面モフォロジは極性によって顕著な違いがあった。In極性のInN膜は小さなファセットを持った凹凸のあるモフォロジを示した。一方、N極性のInN膜は表面が平坦で比較的大きな六角形グレインを持つ膜となった。また、In極性、N極性InN膜については、比較的良質の膜が得られる成長温度の上限にも差があり、上限成長温度はIn極性膜の方が高いことがわかった。これは、MOVPE成長中ではN極性InN膜が水素によって比較的低温で劣化するためであると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-05
著者
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
山本 皓勇
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
山本 嵩勇
福井大学工学部
-
王 文軍
福井大学VBL
-
三輪 浩士
福井大学工学部
-
永井 泰彦
福井大学工学部
-
永井 泰彦
福井大学大学院工学研究科
-
山本 高勇
福井大学工学部
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