MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n-InGaNとp-Siとの間で不純物の高濃度添加なしにトンネル接合が形成されることが予想されている。我々は、そのような利点を生かしたInGaN/Si構造タンデム太陽電池の実現をねらいとして、Si(111)基板上へのInGaN膜のMOVPE成長を検討した。その結果、TMI/(TMI+TGE)供給モル比ならびに成長温度の最適化によりIn組成0〜0.49のInGaN単結晶膜成長を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-10-19
著者
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
NTTフォトニクス研
-
杉田 憲一
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学工学部
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
三原 章宏
福井大学工学部
-
Bhuivan Ashraful
福井大学工学部
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
Bhuiyan Ashraful
福井大学工学部
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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