Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rmsで1nm以下)および急峻なヘテロ界面を得た。得られたヘテロ構造における移動度の値は1,200cm^2/Vs(AlN挿入層なし)および1,800cm^2/Vs(AlN挿入層あり)であった。この移動度の値はこれまでに報告された本材料系における最良値である。本ヘテロ構造エピ上にゲート長0.6μmのHEMTを作製し、DC特性を評価した。AlN挿入層の有無によらず良好なピンチオフ特性を示し、Idssはおよそ1A/mm、最大gmはおよそ200mS/mmであった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-01-10

著者

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 八木 拓真

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

関連論文

• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
• C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
• InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
• MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
• C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
• 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
• InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
• C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
• InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
• 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
• 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
• InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
• InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
• InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
• C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
• MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 40Gbit/s光通信用 Digital OEIC
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
• 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
• InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• C-10-5 GaN系HEMT用エピでの光照射による電流コラプスの回復と励起波長との関係(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
• 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
• 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
• 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
• 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
• InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
• Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
• グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク